Samsung produceert massaal de kleinste DDR5 DRAM in de branche, zo maakte het bedrijf dinsdag bekend.
De nieuwe 14nm EUV DDR5 DRAM is slechts 14 nanometer en heeft vijf lagen extreem ultraviolet (EUV) technologie. Het kan snelheden tot 7,2 gigabit per seconde bereiken, wat meer dan twee keer de snelheid is van DDR4. Samsung beweert ook dat zijn nieuwe EUV-technologie de DDR5 DRAM de hoogste bitdichtheid geeft, terwijl de productiviteit met 20% wordt verhoogd en het stroomverbruik met 20% wordt verminderd.
EUV wordt steeds belangrijker naarmate DRAM steeds kleiner wordt. Het helpt de nauwkeurigheid van patronen te verbeteren, wat nodig is voor hogere prestaties en grotere opbrengsten, aldus Samsung. De extreme miniaturisatie van de 14nm DDR5 DRAM was niet mogelijk voordat de conventionele productiemethode van argonfluoride (ArF) werd gebruikt, en het bedrijf hoopt dat zijn nieuwe technologie zal helpen om tegemoet te komen aan de behoefte aan betere prestaties en capaciteit op gebieden als 5G en kunstmatige intelligentie.
Voor de toekomst zei Samsung dat het een 24Gb 14nm DRAM-chip wil maken om te helpen voldoen aan de eisen van wereldwijde IT-systemen. Het is ook van plan zijn 14nm DDR5-portfolio uit te breiden om datacenters, supercomputers en enterprise server-applicaties te ondersteunen.
